抑制性突触后电位

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抑制性突触后电位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对Cl-通透性增加,Cl-内流产生局部超极化电位

特点:(1)突触前膜释放递质是Ca2+内流引发的;(2)递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的;(3)IPSP是局部电位,而不是动作电位;(4)IPSP是突触后膜离子通透性变化所致,与突触前膜无关。

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